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半导体领域Semiconductor field
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半导体领域专利申请的基本特点
  • 01

    1、半导体领域的专利技术涉及材料、物理、电子、光学、计算机等多种学科,由于行业发展迅猛,其专利技术更新速度快,且通常具有很高的经济效益。为了保护和增强公司价值,半导体领域的专利技术已成为本领域的兵家必争之地。自2000年以来,获得最多专利的主要半导体领域依序为:1. 主动固态组件;2. 半导体制程;3. 静态信息储存与检索;4. 相干光产生器;5. 电子量测与测试;6. 各种主动式电子非线性组件、电路及系统;7. 电子系统与设备。近年来公布的专利合作条约(PCT)大约维持在每年2,000件左右。前七大提出PCT申请的公司分别为飞利浦电子、超微(AMD)、IBM、应用材料(Applied Materials)、摩托罗拉(Motorola)、英特尔(Intel)与半导体能源实验室(Semiconductor Energy Laboratory)。自2000年起,半导体、半导体设备、光学、涂布与静态储存一直引领着PCT的应用方向。飞利浦电子与超微将持续作为提出PCT的主要公司。半导体能源实验室则是从2005年开始积极提出PCT。

  • 02

    2、专利申请的对象主要分为以下几种类型:
    (1)电子元器件:如晶体管、存储器、传感器、LED照明、光电器件、太阳能光伏器件等。
    (2)芯片与系统:如SoC系统级芯片、MEMS微电子机械系统等。
    (3)材料与设备:如SOI、GOI、光电材料、介质材料、封装材料、制程设备、测试设备等。
    (4)制程、工艺方法:如生长薄膜、掺杂、光刻、刻蚀、制造器件的工艺流程等。
    (5)IC设计、模拟方法:如 IC设计方法、器件仿真模拟方法、失效分析方法等。
    (6)测试、验证方法:如 IC、器件量测方法等。

半导体领域技术资料准备的提纲
专利申请以产品、方法为主:产品/方法的创新主要基于产品的构造及工艺方法的步骤,则申请时应考虑提供:
  • 01

    本专利的任务是什么,或要解决的技术问题是什么?

  • 02

    已有产品/方法的不足:即说明与本专利的内容最相似的产品/方法,需要说明已有产品的主要结构、原理、实用效果,或已有工艺、方法的步骤、实用效果,尤其指出与本专利相比,原有产品/方法存在的缺点或不足之处。如有引用文献,需要说明出处;如有参考产品,指出其型号、厂家。对原有技术的介绍尽可能详细,可附结构原理图。

  • 03

    本专利的内容:应说明本专利达到目的或解决问题的技术手段。包括产品的组成、结构,尤其说明各组成部分之间的相互关系,例如连接关系、被作用的工作电流或信号的走向。或工艺、方法的流程步骤,还需说明各步骤涉及的重要工艺参数(如时间、温度等)、重要公式。写明本专利的工作原理,本专利与现有技术的区别点。

  • 04

    本专利的效果:有益效果可以由工作性能的提高,制作成本、能量损耗的减少,稳定性的增加,操作、控制、使用的简便,以及其他有用性能的出现等方面反映出来,对于工艺、材料的改进,还需给出实验数据加以证明。

  • 05

    附图与说明:产品构造或装置或设备的图解,图应以电子制图或流程图的标准绘制,而非扫描图。使专利工作人员可直接在附图上编辑修改,实用新型申请必须带附图。工艺、方法可提供流程图。

  • 06

    本专利的具体实施例:对照附图,说明本专利的具体实施方式,必须有详细的操作步骤、工作机理,包括附图中各具体器件功能介绍、及流程图中具体各个流程的功能。最好提供相应的技术参数、数据来具体说明有益效果,可同时提供原有技术的参数数据进行对比。